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MASTERGAN1 Meia-ponte de alta densidade de potência

MASTERGAN1 Meia-ponte de alta densidade de potência

2020-09-30
STMicroelectronics

MASTERGAN1 Meia-ponte de alta densidade de potência

O driver de alta tensão meia ponte de alta densidade de energia da STMicroelectronics inclui dois HEMTs GaN de modo aprimorado de 650 V

O MASTERGAN1 da STMicroelectronics é o primeiro driver de meia-ponte de 600 V com um sistema GaN HEMT em pacote (SiP) do mundo e o primeiro elemento da plataforma MASTERGAN. MASTERGAN1 é compacto, tornando possível implementar a fonte de alimentação de alta densidade de potência, mesmo quatro vezes menor que a fonte de alimentação baseada em chaves MOSFET, graças à maior frequência de chaveamento de GaNs e alta integração do driver e duas chaves GaN no mesmo pacote. Ele também oferece robustez. O driver offline é otimizado para GaN HEMT para uma direção rápida, eficaz e segura e simplificação de layout. O gerenciamento de switches GaN discretos pode ser difícil, mas o driver integrado gerencia switches GaN para simplificar o projeto da fonte de alimentação.

Características
  • Power SiP integrando driver de meia ponte e transistores GaN
  • Custo reduzido de BOM
  • Eficiente
  • Robusto
  • Layout de placa simplificado
  • Entradas compatíveis de 3,3 V a 20 V
  • Tensão do pino de entrada compatível com ampla faixa de tensão e independente pelo dispositivo VCC
  • Função de intertravamento
  • Gerenciamento automático de situação de intertravamento
Formulários
  • Fontes de alimentação comutadas
  • Carregadores e adaptadores
  • PFCs de alta tensão
  • Conversores DC / DC e DC / AC
  • Sistemas UPS
  • Energia solar

MASTERGAN1 Meia-ponte de alta densidade de potência

ImagemNúmero da peça do fabricanteDescriçãoCorrente - AbastecimentoTensão - FonteTemperatura de operaçãoQuantidade disponívelVer detalhes
HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGHMASTERGAN1MOTORISTA DE ALTA DENSIDADE - ALTA800µA4,75V ~ 9,5V-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)451 - Imediato