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Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc
FJN4310RTA

FJN4310RTA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
FJN4310RTA
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
Fichas de dados:
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
4110 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Especificações de FJN4310RTA

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Modelo do Produto FJN4310RTA Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 4110 pcs stock Ficha de dados
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 40V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased Embalagem do dispositivo fornecedor TO-92-3
Série - Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Power - Max 300mW Embalagem Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 200MHz Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA  
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