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Transistores - FETs, MOSFETs - Single
FQP9N30

FQP9N30

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
FQP9N30
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
Fichas de dados:
1.FQP9N30.pdf2.FQP9N30.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
83848 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de FQP9N30

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto FQP9N30 Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 300V 9A TO-220 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 83848 pcs stock Ficha de dados 1.FQP9N30.pdf2.FQP9N30.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB
Série QFET® RDS ON (Max) @ Id, VGS 450 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 98W (Tc) Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3 Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 11 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V Escorra a tensão de fonte (Vdss) 300V
Descrição detalhada N-Channel 300V 9A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220AB Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Desligar

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