AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Modelo do Produto | FQPF6N80T | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrição | MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 72673 pcs stock | Ficha de dados | FQPF6N80T.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220F |
| Série | QFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 51W (Tc) | Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack | Outros nomes | FQPF6N80T-ND FQPF6N80TFS |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 800V |
| Descrição detalhada | N-Channel 800V 3.3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00, a taxa de envio básica depende da zona e do país. |
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| DHL | www.DHL.com | A partir de $ 35,00, a taxa de envio básica depende da zona e do país. |
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