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Transistores - IGBTs - Single
HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
HGTP12N60A4D
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
Fichas de dados:
1.HGTP12N60A4D.pdf2.HGTP12N60A4D.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
61736 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Especificações de HGTP12N60A4D

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto HGTP12N60A4D Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição IGBT 600V 54A 167W TO220AB Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 61736 pcs stock Ficha de dados 1.HGTP12N60A4D.pdf2.HGTP12N60A4D.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 600V Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Condição de teste 390V, 12A, 10 Ohm, 15V Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 17ns/96ns
Alternando Energia 55µJ (on), 50µJ (off) Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB
Série - Inversa de tempo de recuperação (trr) 30ns
Power - Max 167W Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3 Outros nomes HGTP12N60A4D_NL
HGTP12N60A4D_NL-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard Tipo de IGBT -
portão de carga 78nC Descrição detalhada IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
Atual - Collector Pulsada (ICM) 96A Atual - Collector (Ic) (Max) 54A
Número da peça base HGTP12N60  
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