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Transistores - Bipolar (BJT) - Single
KSE802STU

KSE802STU

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
KSE802STU
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126
Fichas de dados:
KSE802STU.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
4177 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de KSE802STU

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto KSE802STU Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 4177 pcs stock Ficha de dados KSE802STU.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 80V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Tipo transistor NPN - Darlington Embalagem do dispositivo fornecedor TO-126-3
Série - Power - Max 40W
Embalagem Tube Caixa / Gabinete TO-225AA, TO-126-3
Temperatura de operação 150°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição - Descrição detalhada Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V Atual - Collector Cutoff (Max) 100µA
Atual - Collector (Ic) (Max) 4A  
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