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Transistores - IGBTs - Single
NGTB35N65FL2WG

NGTB35N65FL2WG

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
NGTB35N65FL2WG
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
IGBT 650V 70A 300W TO247
Fichas de dados:
NGTB35N65FL2WG.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
53730 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de NGTB35N65FL2WG

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto NGTB35N65FL2WG Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição IGBT 650V 70A 300W TO247 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 53730 pcs stock Ficha de dados NGTB35N65FL2WG.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 650V Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 2V @ 15V, 35A
Condição de teste 400V, 35A, 10 Ohm, 15V Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 72ns/132ns
Alternando Energia 840µJ (on), 280µJ (off) Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247
Série - Inversa de tempo de recuperação (trr) 68ns
Power - Max 300W Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3 Outros nomes NGTB35N65FL2WGOS
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Tempo de entrega padrão do fabricante 24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT Trench Field Stop portão de carga 125nC
Descrição detalhada IGBT Trench Field Stop 650V 70A 300W Through Hole TO-247 Atual - Collector Pulsada (ICM) 120A
Atual - Collector (Ic) (Max) 70A  
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