Escolha o seu país ou a sua região.

Casa
Produtos
Produtos semicondutores discretos
Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G Image
A imagem pode ser representação.
Consulte as especificações para obter detalhes do produto.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
NSBA114EDP6T5G
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963
Fichas de dados:
NSBA114EDP6T5G.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
974481 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

INQUéRITO ON-LINE

Preencha todos os campos obrigatórios com suas informações de contato. Clique em " ENVIAR RFQ "
. Entraremos em contato com você em breve por e-mail. Ou envie um e-mail para nós: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 974481 pcs Preço de referência (em dólares americanos)

  • 8000 pcs
    $0.023
Preço-alvo(USD):
Qtd:
Por favor, forneça seu preço-alvo se as quantidades forem maiores do que as exibidas.
Total: $0.00
NSBA114EDP6T5G
Nome da Empresa
Nome de contato
O email
Mensagem
NSBA114EDP6T5G Image

Especificações de NSBA114EDP6T5G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
(Clique no espaço em branco para fechar automaticamente)
Modelo do Produto NSBA114EDP6T5G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 974481 pcs stock Ficha de dados NSBA114EDP6T5G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-963
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Power - Max 338mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete SOT-963
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 4 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição - Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 338mW Surface Mount SOT-963
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA Número da peça base NSBA1*
Desligar

Produtos Relacionados

Tags relacionadas

Informações quentes