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Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende
NSBC123EDXV6T1

NSBC123EDXV6T1

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
NSBC123EDXV6T1
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Fichas de dados:
NSBC123EDXV6T1.pdf
Estado de RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Condição de estoque:
4608 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de NSBC123EDXV6T1

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto NSBC123EDXV6T1 Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Status sem chumbo / Status RoHS Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade Disponível 4608 pcs stock Ficha de dados NSBC123EDXV6T1.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-563
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms Power - Max 500mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Outros nomes NSBC123EDXV6T1OS Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição - Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA Número da peça base NSBC1*
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