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Produtos semicondutores discretos
Arrays de transistores - Bipolar (BJT)-
NSS40300MDR2G

NSS40300MDR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
NSS40300MDR2G
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Fichas de dados:
NSS40300MDR2G.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
207886 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Especificações de NSS40300MDR2G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto NSS40300MDR2G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 207886 pcs stock Ficha de dados NSS40300MDR2G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 40V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 170mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor 2 PNP (Dual) Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SOIC
Série - Power - Max 653mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes NSS40300MDR2G-ND
NSS40300MDR2GOSTR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 2 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 100MHz Descrição detalhada Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 3A  
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