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Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc
NSVMUN5131T1G

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
NSVMUN5131T1G
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70
Fichas de dados:
NSVMUN5131T1G.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
1160739 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de NSVMUN5131T1G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto NSVMUN5131T1G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 1160739 pcs stock Ficha de dados NSVMUN5131T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased Embalagem do dispositivo fornecedor SC-70-3 (SOT323)
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms Power - Max 202mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete SC-70, SOT-323
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 21 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
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