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Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende
NSVMUN5211DW1T3G

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
NSVMUN5211DW1T3G
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363
Fichas de dados:
NSVMUN5211DW1T3G.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
549105 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de NSVMUN5211DW1T3G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto NSVMUN5211DW1T3G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 549105 pcs stock Ficha de dados NSVMUN5211DW1T3G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Embalagem do dispositivo fornecedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Power - Max 250mW
Embalagem Original-Reel® Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes NSVMUN5211DW1T3GOSDKR Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Tempo de entrega padrão do fabricante 40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequência - Transição -
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
Desligar

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