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Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende
SSVMUN5312DW1T2G

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
SSVMUN5312DW1T2G
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Fichas de dados:
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
550532 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de SSVMUN5312DW1T2G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto SSVMUN5312DW1T2G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 550532 pcs stock Ficha de dados
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Embalagem do dispositivo fornecedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms Power - Max 187mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 40 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição - Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA Número da peça base MUN53**DW1
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