Modelo do Produto | SI4776DY-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrição | MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 211958 pcs stock | Ficha de dados | SI4776DY-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SO |
Série | SkyFET®, TrenchFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 16 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 4.1W (Tc) | Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Outros nomes | SI4776DY-T1-GE3TR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TA) | Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 521pF @ 15V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
Descrição detalhada | N-Channel 30V 11.9A (Tc) 4.1W (Tc) Surface Mount 8-SO | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 11.9A (Tc) |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00, a taxa de envio básica depende da zona e do país. |
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DHL | www.DHL.com | A partir de $ 35,00, a taxa de envio básica depende da zona e do país. |
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