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Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes
SI6973DQ-T1-E3

SI6973DQ-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Modelo do Produto:
SI6973DQ-T1-E3
Fabricante / Marca:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição do Produto:
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Fichas de dados:
SI6973DQ-T1-E3.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
5783 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Electro-Films (EFI) / Vishay

Especificações de SI6973DQ-T1-E3

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Modelo do Produto SI6973DQ-T1-E3 Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5783 pcs stock Ficha de dados SI6973DQ-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Embalagem do dispositivo fornecedor 8-TSSOP
Série TrenchFET® RDS ON (Max) @ Id, VGS 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power - Max 830mW Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição detalhada Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.1A
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