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Transistores - IGBTs - matrizes
FII50-12E

FII50-12E

IXYS Corporation
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IXYS CorporationIXYS Corporation
Modelo do Produto:
FII50-12E
Fabricante / Marca:
IXYS Corporation
Descrição do Produto:
IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
Fichas de dados:
FII50-12E.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
5957 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de FII50-12E

IXYS CorporationIXYS Corporation
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Modelo do Produto FII50-12E Fabricante IXYS Corporation
Descrição IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5957 pcs stock Ficha de dados FII50-12E.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 1200V Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 2.6V @ 15V, 30A
Embalagem do dispositivo fornecedor ISOPLUS i4-PAC™ Série -
Power - Max 200W Caixa / Gabinete i4-Pac™-5
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor No
Tipo de montagem Through Hole Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Entrada Standard Tipo de IGBT NPT
Descrição detalhada IGBT Array NPT Half Bridge 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ Atual - Collector Cutoff (Max) 400µA
Atual - Collector (Ic) (Max) 50A Configuração Half Bridge
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