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Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc
DTB713ZETL

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Modelo do Produto:
DTB713ZETL
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Fichas de dados:
DTB713ZETL.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
771841 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de DTB713ZETL

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Modelo do Produto DTB713ZETL Fabricante LAPIS Semiconductor
Descrição TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 771841 pcs stock Ficha de dados DTB713ZETL.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 30V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased Embalagem do dispositivo fornecedor EMT3
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 1 kOhms Power - Max 150mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete SC-75, SOT-416
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequência - Transição 260MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA Atual - Collector (Ic) (Max) 200mA
Número da peça base DTB713  
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