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Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende
EMB2T2R

EMB2T2R

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Modelo do Produto:
EMB2T2R
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Fichas de dados:
1.EMB2T2R.pdf2.EMB2T2R.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
743553 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de EMB2T2R

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Modelo do Produto EMB2T2R Fabricante LAPIS Semiconductor
Descrição TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 743553 pcs stock Ficha de dados 1.EMB2T2R.pdf2.EMB2T2R.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Embalagem do dispositivo fornecedor EMT6
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms Power - Max 150mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Outros nomes EMB2T2R-ND
EMB2T2RTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequência - Transição 250MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
Número da peça base MB2  
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