Modelo do Produto | EMF22T2R | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
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Descrição | TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 4930 pcs stock | Ficha de dados | EMF22T2R.pdf |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V, 12V | Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Tipo transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | Embalagem do dispositivo fornecedor | EMT6 |
Série | - | Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms | Power - Max | 150mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
Tipo de montagem | Surface Mount | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequência - Transição | 250MHz, 320MHz |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 | DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00, a taxa de envio básica depende da zona e do país. |
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