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Arrays de transistores - Bipolar (BJT)-
EMZ1T2R

EMZ1T2R

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Modelo do Produto:
EMZ1T2R
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
Fichas de dados:
1.EMZ1T2R.pdf2.EMZ1T2R.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
550073 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de EMZ1T2R

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Modelo do Produto EMZ1T2R Fabricante LAPIS Semiconductor
Descrição TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 550073 pcs stock Ficha de dados 1.EMZ1T2R.pdf2.EMZ1T2R.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor NPN, PNP Embalagem do dispositivo fornecedor EMT6
Série - Power - Max 150mW
Embalagem Cut Tape (CT) Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Outros nomes EMZ1T2RCT Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 180MHz, 140MHz Descrição detalhada Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 150mA Número da peça base *MZ1
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