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Arrays de transistores - Bipolar (BJT)-
JAN2N2920U

JAN2N2920U

Microsemi
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MicrosemiMicrosemi
Modelo do Produto:
JAN2N2920U
Fabricante / Marca:
Microsemi
Descrição do Produto:
TRANS 2NPN 60V 0.03A
Fichas de dados:
Estado de RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Condição de estoque:
1636 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de JAN2N2920U

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Modelo do Produto JAN2N2920U Fabricante Microsemi
Descrição TRANS 2NPN 60V 0.03A Status sem chumbo / Status RoHS Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade Disponível 1636 pcs stock Ficha de dados
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 60V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Tipo transistor 2 NPN (Dual) Embalagem do dispositivo fornecedor 3-SMD
Série Military, MIL-PRF-19500/355 Power - Max 350mW
Embalagem Bulk Caixa / Gabinete 3-SMD, No Lead
Outros nomes 1086-20776
1086-20776-MIL
Temperatura de operação 200°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 23 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição - Descrição detalhada Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Surface Mount 3-SMD
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V Atual - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 30mA  
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