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Transistores - FETs, MOSFETs - Single
PHD110NQ03LT,118

PHD110NQ03LT,118

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NXP Semiconductors / Freescale
Modelo do Produto:
PHD110NQ03LT,118
Fabricante / Marca:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição do Produto:
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Fichas de dados:
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
5133 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de PHD110NQ03LT,118

NXP Semiconductors / Freescale
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Modelo do Produto PHD110NQ03LT,118 Fabricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrição MOSFET N-CH 25V 75A DPAK Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5133 pcs stock Ficha de dados
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor DPAK
Série TrenchMOS™ RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.6 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max) 115W (Tc) Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Outros nomes 934058125118
PHD110NQ03LT /T3
PHD110NQ03LT /T3-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 26.7nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 5V, 10V Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25V
Descrição detalhada N-Channel 25V 75A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)
Desligar

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