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Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc
UNR421900A

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PanasonicPanasonic
Modelo do Produto:
UNR421900A
Fabricante / Marca:
Panasonic
Descrição do Produto:
TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Fichas de dados:
UNR421900A.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
3987 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de UNR421900A

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Modelo do Produto UNR421900A Fabricante Panasonic
Descrição TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 3987 pcs stock Ficha de dados UNR421900A.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased Embalagem do dispositivo fornecedor NS-B1
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 1 kOhms Power - Max 300mW
Embalagem Tape & Box (TB) Caixa / Gabinete NS-B1
Outros nomes UNR421900ATB Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 150MHz Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA  
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