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Arrays de transistores - Bipolar (BJT)-
HN4B04J(TE85L,F)

HN4B04J(TE85L,F)

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Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Modelo do Produto:
HN4B04J(TE85L,F)
Fabricante / Marca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Fichas de dados:
HN4B04J(TE85L,F).pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
953917 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Modelo do Produto HN4B04J(TE85L,F) Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 953917 pcs stock Ficha de dados HN4B04J(TE85L,F).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 30V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor NPN, PNP Embalagem do dispositivo fornecedor SMV
Série - Power - Max 300mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete SC-74A, SOT-753
Outros nomes HN4B04J(TE85LF)TR
HN4B04JTE85LF
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequência - Transição 200MHz
Descrição detalhada Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 100mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) Atual - Collector (Ic) (Max) 500mA
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