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Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc
RN1102ACT(TPL3)

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Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Modelo do Produto:
RN1102ACT(TPL3)
Fabricante / Marca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Fichas de dados:
RN1102ACT(TPL3).pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
4341 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de RN1102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Modelo do Produto RN1102ACT(TPL3) Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 4341 pcs stock Ficha de dados RN1102ACT(TPL3).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased Embalagem do dispositivo fornecedor CST3
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Power - Max 100mW
Embalagem Cut Tape (CT) Caixa / Gabinete SC-101, SOT-883
Outros nomes RN1102ACT(TPL3)CT Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA Atual - Collector (Ic) (Max) 80mA
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