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Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende
RN1907,LF

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Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Modelo do Produto:
RN1907,LF
Fabricante / Marca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Fichas de dados:
RN1907,LF.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
6010 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de RN1907,LF

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Modelo do Produto RN1907,LF Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 6010 pcs stock Ficha de dados RN1907,LF.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Embalagem do dispositivo fornecedor US6
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Power - Max 200mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes RN1907LFTR Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 250MHz Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA  
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