Modelo do Produto | FCPF190N60E | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrição | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 45526 pcs stock | Ficha de dados | FCPF190N60E.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220F-3 |
Série | SuperFET® II | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 190 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 39W (Tc) | Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 52 Weeks | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3175pF @ 25V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 600V |
Descrição detalhada | N-Channel 600V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3 | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20.6A (Tc) |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de $ 35,00, a taxa de envio básica depende da zona e do país. |
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