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Transistores - Bipolar (BJT) - Single
MJD41CT4

MJD41CT4

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
MJD41CT4
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS NPN 100V 6A DPAK
Fichas de dados:
MJD41CT4.pdf
Estado de RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Condição de estoque:
5771 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de MJD41CT4

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto MJD41CT4 Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS NPN 100V 6A DPAK Status sem chumbo / Status RoHS Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade Disponível 5771 pcs stock Ficha de dados MJD41CT4.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 100V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A
Tipo transistor NPN Embalagem do dispositivo fornecedor DPAK
Série - Power - Max 1.75W
Embalagem Cut Tape (CT) Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes MJD41CT4OSCT Temperatura de operação -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Frequência - Transição 3MHz
Descrição detalhada Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 3MHz 1.75W Surface Mount DPAK DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V
Atual - Collector Cutoff (Max) 50µA Atual - Collector (Ic) (Max) 6A
Número da peça base MJD41  
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