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Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc
MMUN2237LT1G

MMUN2237LT1G

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
MMUN2237LT1G
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23
Fichas de dados:
MMUN2237LT1G.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
4737000 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de MMUN2237LT1G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto MMUN2237LT1G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 4737000 pcs stock Ficha de dados MMUN2237LT1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms Power - Max 246mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes MMUN2237LT1G-ND
MMUN2237LT1GOSTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Tempo de entrega padrão do fabricante 36 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA  
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