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Arrays de transistores - Bipolar (BJT)-
SBC856BDW1T3G

SBC856BDW1T3G

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modelo do Produto:
SBC856BDW1T3G
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto:
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
Fichas de dados:
SBC856BDW1T3G.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
698249 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de SBC856BDW1T3G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modelo do Produto SBC856BDW1T3G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 698249 pcs stock Ficha de dados SBC856BDW1T3G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 65V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor 2 PNP (Dual) Embalagem do dispositivo fornecedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Série Automotive, AEC-Q101 Power - Max 380mW
Embalagem Cut Tape (CT) Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes SBC856BDW1T3GOSCT Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 40 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 100MHz Descrição detalhada Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V Atual - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA  
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