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Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes
SI6924AEDQ-T1-GE3

SI6924AEDQ-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Modelo do Produto:
SI6924AEDQ-T1-GE3
Fabricante / Marca:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição do Produto:
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
Fichas de dados:
SI6924AEDQ-T1-GE3.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
5602 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Electro-Films (EFI) / Vishay

Especificações de SI6924AEDQ-T1-GE3

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Modelo do Produto SI6924AEDQ-T1-GE3 Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5602 pcs stock Ficha de dados SI6924AEDQ-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Embalagem do dispositivo fornecedor 8-TSSOP
Série - RDS ON (Max) @ Id, VGS 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power - Max 1W Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Outros nomes SI6924AEDQ-T1-GE3TR
SI6924AEDQT1GE3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Característica FET Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 28V Descrição detalhada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 28V 4.1A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.1A Número da peça base SI6924
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