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Transistores - FETs, MOSFETs - Single
SIHG25N40D-GE3

SIHG25N40D-GE3

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Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Modelo do Produto:
SIHG25N40D-GE3
Fabricante / Marca:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição do Produto:
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
Fichas de dados:
1.SIHG25N40D-GE3.pdf2.SIHG25N40D-GE3.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
49844 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de SIHG25N40D-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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Modelo do Produto SIHG25N40D-GE3 Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 49844 pcs stock Ficha de dados 1.SIHG25N40D-GE3.pdf2.SIHG25N40D-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247AC
Série - RDS ON (Max) @ Id, VGS 170 mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max) 278W (Tc) Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3 Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 18 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1707pF @ 100V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V Escorra a tensão de fonte (Vdss) 400V
Descrição detalhada N-Channel 400V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Desligar

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