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Transistores - FETs, MOSFETs - Single
BSP299H6327XUSA1

BSP299H6327XUSA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
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International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
Modelo do Produto:
BSP299H6327XUSA1
Fabricante / Marca:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição do Produto:
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
Fichas de dados:
BSP299H6327XUSA1.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
69819 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de BSP299H6327XUSA1

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Modelo do Produto BSP299H6327XUSA1 Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 69819 pcs stock Ficha de dados BSP299H6327XUSA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor PG-SOT223-4
Série SIPMOS® RDS ON (Max) @ Id, VGS 4 Ohm @ 400mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.8W (Ta) Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-261-4, TO-261AA Outros nomes BSP299H6327XUSA1-ND
BSP299H6327XUSA1TR
SP001058628
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 3 (168 Hours) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 500V Descrição detalhada N-Channel 500V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 400mA (Ta)  
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