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Transistores - IGBTs - Single
RGTH00TS65GC11

RGTH00TS65GC11

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Modelo do Produto:
RGTH00TS65GC11
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descrição do Produto:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Fichas de dados:
1.RGTH00TS65GC11.pdf2.RGTH00TS65GC11.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
52506 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de RGTH00TS65GC11

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Modelo do Produto RGTH00TS65GC11 Fabricante LAPIS Semiconductor
Descrição IGBT 650V 85A 277W TO-247N Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 52506 pcs stock Ficha de dados 1.RGTH00TS65GC11.pdf2.RGTH00TS65GC11.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 650V Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Condição de teste 400V, 50A, 10 Ohm, 15V Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 39ns/143ns
Alternando Energia - Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247N
Série - Power - Max 277W
Embalagem Tube Caixa / Gabinete TO-247-3
Temperatura de operação -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Tempo de entrega padrão do fabricante 15 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT Trench Field Stop portão de carga 94nC
Descrição detalhada IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N Atual - Collector Pulsada (ICM) 200A
Atual - Collector (Ic) (Max) 85A  
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