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Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes
APTM100A13DG

APTM100A13DG

Microsemi
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MicrosemiMicrosemi
Modelo do Produto:
APTM100A13DG
Fabricante / Marca:
Microsemi
Descrição do Produto:
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Fichas de dados:
APTM100A13DG.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
650 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de APTM100A13DG

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Modelo do Produto APTM100A13DG Fabricante Microsemi
Descrição MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 650 pcs stock Ficha de dados APTM100A13DG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA Embalagem do dispositivo fornecedor SP6
Série - RDS ON (Max) @ Id, VGS 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Power - Max 1250W Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete SP6 Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 32 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Característica FET Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 1000V (1kV) Descrição detalhada Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 65A  
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