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Arrays de transistores - Bipolar (BJT)-
SG2003J-883B

SG2003J-883B

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MicrosemiMicrosemi
Modelo do Produto:
SG2003J-883B
Fabricante / Marca:
Microsemi
Descrição do Produto:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Fichas de dados:
SG2003J-883B.pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
5395 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de SG2003J-883B

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Modelo do Produto SG2003J-883B Fabricante Microsemi
Descrição TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5395 pcs stock Ficha de dados SG2003J-883B.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor 7 NPN Darlington Embalagem do dispositivo fornecedor 16-CDIP
Série - Power - Max -
Embalagem Tube Caixa / Gabinete 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes 1259-1081
1259-1081-MIL
Q10386303
SG2003J883B
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequência - Transição -
Descrição detalhada Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max) - Atual - Collector (Ic) (Max) 500mA
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