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Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc
PDTC114ES,126

PDTC114ES,126

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NXP Semiconductors / Freescale
Modelo do Produto:
PDTC114ES,126
Fabricante / Marca:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição do Produto:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Fichas de dados:
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
4024 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de PDTC114ES,126

NXP Semiconductors / Freescale
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Modelo do Produto PDTC114ES,126 Fabricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrição TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 4024 pcs stock Ficha de dados
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased Embalagem do dispositivo fornecedor TO-92-3
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Power - Max 500mW
Embalagem Tape & Box (TB) Caixa / Gabinete TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes 934047440126
PDTC114ES AMO
PDTC114ES AMO-ND
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 1µA Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
Número da peça base PDTC114  
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