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Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc
RN1118(T5L,F,T)

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Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Modelo do Produto:
RN1118(T5L,F,T)
Fabricante / Marca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Fichas de dados:
RN1118(T5L,F,T).pdf
Estado de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque:
5333 pcs stock
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações de RN1118(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Modelo do Produto RN1118(T5L,F,T) Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5333 pcs stock Ficha de dados RN1118(T5L,F,T).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased Embalagem do dispositivo fornecedor SSM
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms Power - Max 100mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete SC-75, SOT-416
Outros nomes RN1118(T5LFT)TR
RN1118T5LFT
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 250MHz Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA  
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